RF 증폭회로 관련하여 질문드립니다.

저도 학사따리고 주변에도 물어볼 RF 관련 전공자가 없어서 이곳에라도 여쭙니다..

현재 100MHz ~ 200MHz 사이의 주파수 대역을 사용하고 최종출력은 31 dBm 정도 되는 장비의 RF 증폭단의 증폭비를 측정하고 싶습니다.
(장비는 이미 PCB로 제작된 상태이며 회로도 또한 갖고 있습니다.)

그런데 방법을 잘 모르겠습니다.

증폭단은 총 3단으로 1차 3차는 N type MOSFET 을 사용하고 있고, 2차는 NPN BJT 를 사용하고 있습니다.

시도했었던 방법과 결과는 다음과 같습니다.

첫번째로 스펙트럼 아날라이저로 1pF 커패시터로 AC 커플링 해서 측정했더니 오히려 1차 증폭 출력이 입력보다 작게 나왔습니다.

그 다음으로는 스코프 프로브로 1차 입력단 과 3차 입력단을 찍어서 전압을 비교했더니 3차 입력단 전압이 더 적게 나왔습니다.
그리고 프로브가 조금만 흔들려도 임피던스 매칭에 영향을 받는건지 전압이 크게 변해서 신뢰할만한 데이터라고 생각할 수가 없었습니다.

분명 회로 자체는 증폭을 하는 형태인데 측정 결과 자체는 증폭이 아니라 감쇠를 합니다..

혹시나 추천해주실만한 테스트 방법이 있다면 무엇이든 알려주시면 감사드리겠습니다!