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MRAM과 DRAM 비교할 때 leakage current 질문 좀 드려도 될까요??!

2021.12.08

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안녕하세요 현재 4학년 학부생입니다 :)

다름이 아니라 졸업 리뷰논문을 작성중인데 마땅히 여쭤볼 곳이 없어서 이렇게 질문을 올리게 되었습니다.
(사실 김박사넷을 자주 이용하지는 않아서 게시판 성격과 다른 글이라면 삭제하겠습니다 ㅠㅠ)


MRAM에 관한 리뷰논문을 작성중인데,

DRAM과 MRAM을 비교할 때, DRAM에서의 capacitor 대신 MRAM에서는 spintronics기술로 대체한다고 알고 있는데,

그렇다면 DRAM에서와 마찬가지로 MRAM에서도 MOSFET이 가지는 고정적인 leakage current 문제는 그대로

변하지 않는다고 생각하면 되는걸까요?? MOSFET의 Subthreshold swing의 최솟값이 거의 상수로 알고 있는데, 이는 MRAM

에서도 마찬가지인지 여쭙고 싶습니다!!



답변해주시면 정말 감사드리겠습니다 감사합니다 ㅠㅠ,,

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